报告题目：下一代纳米电子学中的自旋器件
主讲人：徐永兵教授 英国York大学电子系
时间：2011年9月21日下午15：30——17：00
地点：东南大学四牌楼校区大礼堂
徐永兵简介：
徐永兵教授，现为英国York大学电子系纳米技术首席教授，约克自旋电子学及纳米器件实验室主任；分别于1992年和1996年在中国南京大学和英国UK National Synchrotron Radiation Laboratory, and Leeds University 获得双博士学位；于1997年－2001年在著名的剑桥大学, Cavendish 实验室做博士后研究；从事磁性材料和自旋电子学研究20年，拥有丰富的经验。目前致力于自旋电子学领域“磁性/半导体”杂化材料和器件的研究。在PRL以及PRB等国际权威杂志上发表了相关文章，并在国际会议包括MRS和IEEE磁学会议上多次给出报告以及特邀报告。徐永兵教授目前担任世界大学联盟（WUN）“自旋电子学”重大国际合作项目的总负责人（30个合作伙伴来自英国，美国及中国的12个研究领先的大学），他于2007年在York主办了第一届WUN国际自旋电子学材料和科技会议并任会议主席，150多名世界顶尖专家及年轻的科学研究者出席了会议。
徐永兵教授还担任英国物理协会磁学分会委员会委员，英国国家基金评审委员会委员；欧盟华沙纳米中心国际咨询委员会的成员；英国工程与物理科学研究委员会自旋电子学成员；美国自然科学基金评审委员会委员，国际工程师协会项目委员会委员；著名出版社Springer 重大参考书 “Handbook of Spintronics” 主编；著名出版社Elsevier的《Current Opinion in Solid State and Material Science》杂志自旋电子学部分的负责编辑；著名出版社Taylor and Francis “Electronic Materials and Devices” 丛书主编。
主要内容：
自旋电子学是目前纳米科学领域最活跃和最赋有挑战性的方向之一，无论在基础研究还是工业应用上都非常重要。众所周知，电子既有电荷也有自旋，传统的电子学只考虑电子的电荷，与其自旋无关。自旋电子学则利用电子电荷流动和自旋的相互影响，使电子学的功能更加丰富多彩。自旋电子学起始于金属纳米多层膜的巨磁电阻的发现和在传感器和磁存储上的重要应用，从而获得2007年诺贝尔奖。金属自旋电子学，作为第一代自旋电子学，的巨大成功引起科学家们开始了半导体自旋电子学研究。当前，微电子学是基于半导体基础上的，半导体集成电路已形成一整套成熟的制备技术，成为微电子学和信息技术和工业的基础。将“自旋”极化载流子引入到半导体中，利用电子电荷流动和自旋的相互影响，将可能直接发展微电子学的新的功能，使其更加丰富多样[3,5,6]。第二代自旋电子学，杂化自旋电子学，集成磁性材料和半导体器件利用自旋控制来实现半导体更多功能的特性。本次报告将综述围绕寻求开发第二代纳米自旋电子学器件的目标，科学家们的研究进展。